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Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP

机译:用于多晶硅CMP的低成本和低碟状浆料

摘要

Methods and compositions are provided for planarizing substrate surfaces with low dishing. Aspects of the invention provide methods of using compositions comprising an abrasive selected from the group consisting of alumina and ceria and a surfactant for chemical mechanical planarization of substrates to remove polysilicon.
机译:提供了用于以低凹陷平坦化衬底表面的方法和组合物。本发明的方面提供了使用包含选自氧化铝和二氧化铈的磨料和表面活性剂的组合物的方法,该组合物用于对衬底进行化学机械平坦化以去除多晶硅。

著录项

  • 公开/公告号US7199056B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEN-HOU KO;KEVIN H. SONG;

    申请/专利号US20030360388

  • 发明设计人 KEVIN H. SONG;SEN-HOU KO;

    申请日2003-02-06

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:43

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