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Reduced gate delay multiplexed interface and output buffer circuit for integrated circuit devices incorporating random access memory arrays

机译:用于包含随机存取存储器阵列的集成电路器件的减少的门延迟多路复用接口和输出缓冲电路

摘要

A reduced gate delay multiplexed interface and output buffer circuit for random access memory arrays, such as synchronous dynamic random access memory (“SDRAM”) devices, or other integrated circuit devices incorporating embedded memory arrays which reduces data access time and clock latency. In accordance with the present invention, data is multiplexed (or selected) and driven out at the memory bank level rather than at the output pad area (or the embedded RAM macro edge) as in prior art techniques.
机译:用于随机存取存储器阵列的减少的栅极延迟多路复用接口和输出缓冲电路,例如同步动态随机存取存储器(“ SDRAM”)设备或并入嵌入式存储器阵列的其他集成电路设备,其减少了数据存取时间和时钟等待时间。根据本发明,数据被多路复用(或选择)并在存储器组级别而不是如现有技术那样在输出焊盘区域(或嵌入式RAM宏边缘)被驱出。

著录项

  • 公开/公告号US7161214B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICHAEL C. PARRIS;

    申请/专利号US20030345735

  • 发明设计人 MICHAEL C. PARRIS;

    申请日2003-01-16

  • 分类号H01L29/72;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:59:47

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