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Apparatus of automatically detecting optimum lithography process parameters and methods of automatically detecting optimum lithography process parameters using the same

机译:自动检测最佳光刻工艺参数的设备以及使用该设备自动检测最佳光刻工艺参数的方法

摘要

optimal lithography process of the device to automatically detect the parameters and the optimal parameters of the lithography process using it a method for automatically detecting are provided. The measuring device, which are operated by a control unit, and an analog / digital converter and a processor. The meter measures the width and profile of the photoresist pattern is formed using a predetermined exposure energy and focus of the exposure given to the wafer. The analog / digital converter converts the analog values of the line width and profile measured by the meter into a digital signal. The processor judges whether or not the analog / digital converter is output from the digit localized (digitized) line width and the profile compared with the standard line width of the reference profile and the digit line width and the profile is best localized.
机译:提供了一种用于自动检测参数的装置的最佳光刻工艺以及使用该装置的光刻工艺的最佳参数的自动检测方法。该测量装置由控制单元,模拟/数字转换器和处理器操作。该仪表使用预定的曝光能量和给予晶片的曝光焦点来测量形成的光致抗蚀剂图案的宽度和轮廓。模拟/数字转换器将仪表测量的线宽和轮廓的模拟值转换为数字信号。处理器判断是否从数字本地化(数字化)线宽和轮廓中输出模拟/数字转换器,并与参考轮廓的标准线宽和数字线宽和轮廓进行最佳定位。

著录项

  • 公开/公告号KR100678464B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040116766

  • 发明设计人 김동호;

    申请日2004-12-30

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:33:00

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