首页> 外国专利> A method for sintering ITO using a microwave

A method for sintering ITO using a microwave

机译:一种利用微波烧结ITO的方法

摘要

ITO invention by microwave sintering (Indium Tin Oxide, indium tin oxide) sputtering target (sputtering target ) that relates to a process for the manufacture , improving the sintering characteristics of the conventional ITO sputtering target for producing a transparent conductive film in electrical conductivity and high density of a uniform ITO sputtering target to enhance the transmittance, and the product that occur during sintering reducing the damage by using a microwave (2.45GHz, 700W) in order to improve the productivity is to manufacture an ITO sputtering target with no inner defect less sintering deviation .
机译:通过微波烧结(氧化铟锡,氧化铟锡)溅射靶(溅射靶)进行的ITO发明涉及一种制造方法,其提高了用于制备透明导电膜的传统ITO溅射靶的烧结特性,所述透明导电膜具有较高的导电性。为了提高生产率,为了提高生产率,使用均匀的ITO溅射靶的高密度化来提高透射率,并且为了提高生产率而在烧结中产生的产物减少了通过使用微波(2.45GHz,700W)的损伤,从而制造出内部缺陷少的ITO溅射靶。烧结偏差。

著录项

  • 公开/公告号KR100704273B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20050072894

  • 发明设计人 김관수;이용선;박명하;

    申请日2005-08-09

  • 分类号C23C14/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:32:29

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号