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A CMOS current-mode logic gate using subthreshold conduction

机译:使用亚阈值传导的CMOS电流模式逻辑门

摘要

A low power CMOS CML logic gate comprises a differential transistor pair M1,M2 operating in weak inversion and switching current to either of a pair of load transistors M3,M4 also operating in weak inversion. The load transistors have short channels (90 nm) and so are subject to drain-induced barrier lowering (DIBL) which reduces output resistance in saturation (figure 5b). This allows the loads to operate linearly for source-drain voltages from zero to voltages above VDSsat so that a higher output logic swing can be obtained. The logic output swing may be stabilized against PVT variation by a bias circuit using a replica gate (figure 4).
机译:低功率CMOS CML逻辑门包括以弱反相工作的差分晶体管对M1,M2和切换到也以弱反相工作的一对负载晶体管M3,M4中的任一个的开关电流。负载晶体管具有短沟道(90 nm),因此会受到漏极引起的势垒降低(DIBL)的影响,从而降低饱和状态下的输出电阻(图5b)。这使负载能够针对从零到高于VDSsat的电压的源极漏极电压线性工作,从而可以获得更高的输出逻辑摆幅。逻辑输出摆幅可以通过使用复制门的偏置电路来稳定,以抵抗PVT变化(图4)。

著录项

  • 公开/公告号GB2431785A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOUMAZ TECHNOLOGY LIMITED;

    申请/专利号GB20050021915

  • 发明设计人 FRANCESCO CANNILLO;CHRISTOFER TOUMAZOU;

    申请日2005-10-27

  • 分类号H03K19/0948;H03K19/003;H03K19/094;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 20:26:10

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