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Being the manner which forms the patterning thin film in patterning thin film formation

机译:在构图薄膜形成中是形成构图薄膜的方式

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a patterned thin film and a method for manufacturing a micro device which reliably removes a resist mask without causing so-called "burrs".;SOLUTION: The patterned thin film 107 is formed on a substrate 101 by using the resist mask 110. Subsequently, organic resin layers 108, 109 which cover the resist mask 110 and the patterned thin film 107 are formed. Then, a heating treatment is performed and, thereafter, the organic resin layers 108, 109 and the resist mask 110 are removed.;COPYRIGHT: (C)2004,JPO
机译:解决的问题:提供一种形成图案化薄膜的方法和一种用于制造微器件的方法,该方法能够可靠地去除抗蚀剂掩模而不会引起所谓的“毛刺”。;解决方案:在薄膜上形成图案化薄膜107。通过使用抗蚀剂掩模110形成衬底101。随后,形成覆盖抗蚀剂掩模110和图案化薄膜107的有机树脂层108、109。然后,进行热处理,然后,去除有机树脂层108、109和抗蚀剂掩模110 。;版权所有:(C)2004,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP4117775B2

    专利类型

  • 公开/公告日2008-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号JP20020206134

  • 发明设计人 上島 聡史;

    申请日2002-07-15

  • 分类号G03F7/42;G11B5/31;G11B5/39;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 20:20:09

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