要解决的问题:提供一种混合导体,该混合导体由毒性较小的稳定材料形成,并且即使在500℃左右的温度下也具有足够的氧离子传导性和电子传导性。
解决方案:用于该氧离子导体的氧化钴由化学式R AE M 版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP4255068B2
专利类型
公开/公告日2009-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 財団法人電力中央研究所;
申请/专利号JP20030402772
申请日2003-12-02
分类号H01B1/08;C01B13/02;C01F17;C04B35/50;H01M4/86;H01M8/02;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:38:24