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MOLYBDENUM-DOPED INDIUM OXIDE STRUCTURES AND METHODS

机译:钼掺杂氧化铟的结构和方法

摘要

Methods of forming transparent conducting oxides and devices formed by these methods are shown. Monolayers that contain indium and monolayers that contain molybdenum are deposited onto a substrate and subsequently processed to form molybdenum-doped indium oxide. The resulting transparent conducing oxide includes properties such as an amorphous or nanocrystalline microstructure. Devices that include transparent conducing oxides formed with these methods have better step coverage over substrate topography and more robust film mechanical properties.
机译:显示了形成透明导电氧化物的方法和通过这些方法形成的器件。将包含铟的单层和包含钼的单层沉积到基材上,然后进行处理以形成掺杂钼的氧化铟。所得的透明导电氧化物包括诸如非晶或纳米晶体微结构的性质。包含通过这些方法形成的透明导电氧化物的器件具有比衬底形貌更好的阶梯覆盖率和更强大的薄膜机械性能。

著录项

  • 公开/公告号US2009179292A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIE Y. AHN;LEONARD FORBES;

    申请/专利号US20090409906

  • 发明设计人 KIE Y. AHN;LEONARD FORBES;

    申请日2009-03-24

  • 分类号H01L31/02;H01L23/48;H01B5;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:35:55

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