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MAGNETIC MEMORY CELL BASED ON A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION(MTJ) WITH LOW SWITCHING FIELD SHAPES

机译：基于低开关磁场形状的磁隧道结（MTJ）的磁存储单元

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摘要

Embodiments of the invention magnetic memory device, comprising: a magnetic tunnel junction (MTJ) which includes a Magnetic Tunnel Junction (MTJ) stack which has one of a crescent-shaped profile and an elbow-shaped profile in cross-section.

机译：本发明的磁存储器件的实施例，包括：磁隧道结（MTJ），其包括在横截面中具有月牙形轮廓和肘形轮廓之一的磁隧道结（MTJ）堆叠。

著录项

公开/公告号US2009128966A1

专利类型
公开/公告日2009-05-21

原文格式PDF
申请/专利权人 KRISHNAKUMAR MANI;JANNIER MAXIMO ROIZ WILSON;
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申请/专利号US20080249897
发明设计人 KRISHNAKUMAR MANI;JANNIER MAXIMO ROIZ WILSON;
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申请日2008-10-10
分类号G11B5/33;
国家 US
入库时间 2022-08-21 19:34:20

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