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Method of patterning a photoresist film using a lithographic

机译:使用光刻图案化光刻胶膜的方法

摘要

Method for patterning a photoresist film in lithographic process including the steps of: coating the photoresist film on a substrate provided with an under layer; exposing the substrate; firstly developing the photoresist film; exposing a whole surface of the substrate; and secondly developing the photoresist film. The present method has effects on improving an accuracy of formation of pattern and preventing from scum, photoresist residues, and so on, with relatively low cost and short process time.
机译:在光刻工艺中对光致抗蚀剂膜进行构图的方法,包括以下步骤:在设有底层的基板上涂覆光致抗蚀剂膜;暴露基板;首先显影光刻胶膜;暴露基板的整个表面;然后显影光刻胶膜。本方法具有以相对较低的成本和较短的处理时间来提高图案形成的精度并防止浮渣,光致抗蚀剂残留等的效果。

著录项

  • 公开/公告号US7491648B2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IL HO LEE;

    申请/专利号US20040024706

  • 发明设计人 IL HO LEE;

    申请日2004-12-30

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:30:24

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