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Process for the deposition of a substrate with layers of hydrogenated amorphous silicon.

机译:用氢化非晶硅层沉积衬底的方法。

摘要

A process for coating a substrate (1) with layers of hydrogenated amorphous silicon (a-Si layers: H, 7), characterized in that a sputtering gas and a reactive gas containing Si or an Si compound is fed a source of sputtering gas flow gap (8) with a white cathode containing silicon.
机译:一种用氢化非晶硅层(a-Si层:H,7)涂覆衬底(1)的方法,其特征在于,向溅射气体和包含Si或Si化合物的反应气体供给溅射气体流源间隙(8),带有一个含硅的白色阴极。

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