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Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process

机译:在低压CMOS工艺中使用较高电源的电流控制CMOS电路

摘要

Various circuit techniques for implementing ultra high speed circuits use current-controlled CMOS (C3MOS) logic fabricated in conventional CMOS process technology. An entire family of logic elements including inverter/buffers, level shifters, NAND, NOR, XOR gates, latches, flip-flops and the like are implemented using C3MOS techniques. Optimum balance between power consumption and speed for each circuit application is achieve by combining high speed C3MOS logic with low power conventional CMOS logic. The combined C3MOS/CMOS logic allows greater integration of circuits such as high speed transceivers used in fiber optic communication systems. The C3MOS structure enables the use of a power supply voltage that may be larger than the voltage required by the CMOS fabrication process, further enhancing the performance of the circuit.
机译:用于实现超高速电路的各种电路技术使用以常规CMOS工艺技术制造的电流控制CMOS(C3MOS)逻辑。包括反相器/缓冲器,电平移位器,NAND,NOR,XOR门,锁存器,触发器等在内的整个逻辑元件系列都是使用C3MOS技术实现的。通过将高速C3MOS逻辑与低功耗常规CMOS逻辑相结合,可以在每种电路应用的功耗和速度之间实现最佳平衡。组合的C3MOS / CMOS逻辑允许更大的电路集成度,例如光纤通信系统中使用的高速收发器。 C3MOS结构使电源电压的使用可能比CMOS制造工艺所需的电压大,从而进一步提高了电路的性能。

著录项

  • 公开/公告号EP1394947B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BROADCOM CORP;

    申请/专利号EP20030019260

  • 申请日2003-08-26

  • 分类号H03K19/0944;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 19:18:59

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