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METHOD FOR FORMING A THIN FILM LTCC MULTILAYER SUBSTRATE INCLUDING A THIN FILM RESISTOR WITH HIGH THERMAL STABILITY

机译:形成具有高热稳定性的薄膜电阻的薄膜LTCC多层基板的方法

摘要

PURPOSE: A method for forming a thin film LTCC multilayer substrate is provided to miniaturize a module using LTCC technology by forming a thin resistor with high thermal stability on an insulation film of an LTCC multilayer wiring substrate.;CONSTITUTION: An LTCC substrate is prepared(S10). An LTCC substrate is thermally processed(S20). An insulating layer is formed on the LTCC substrate(S60). The insulation layer is formed by ion assistant PVD(Physical Vapor Deposition), an electron beam deposition, a PLD(Pulsed Laser Deposition) or aerosol deposition. The insulation layer is made of high-k material. The thin film resistor layer is formed on the insulation layer(S80). The thin film conductive line is formed on the insulation layer and the thin film resistor layer(S120). The thin film resistor layer is thermally processed(S160).;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种形成LTCC薄膜多层基板的方法,该方法通过在LTCC多层配线基板的绝缘膜上形成具有高热稳定性的薄电阻器,从而利用LTCC技术使模块小型化。 S10)。 LTCC基板被热处理(S20)。在LTCC基板上形成绝缘层(S60)。绝缘层通过离子辅助PVD(物理气相沉积),电子束沉积,PLD(脉冲激光沉积)或气溶胶沉积形成。绝缘层由高k材料制成。在绝缘层上形成薄膜电阻器层(S80)。在绝缘层和薄膜电阻器层上形成薄膜导线(S120)。薄膜电阻器层经过热处理(S160)。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20090110510A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOP ENGINEERING CO. LTD.;

    申请/专利号KR20080036048

  • 发明设计人 KIM SANG HEE;

    申请日2008-04-18

  • 分类号H05K3/46;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:12:25

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