首页> 外国专利> CdTe SINGLE CRYSTAL AND CdTe POLYCRYSTAL, AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF

CdTe SINGLE CRYSTAL AND CdTe POLYCRYSTAL, AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF

机译:CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法

摘要

Use the 50~200ppmwt chlorine doped polycrystalline CdTe as the raw material , the vertical gradient -free jingbeop horizontal gradient free jingbeop , the vertical bridge maenbeop horizontal bridge maenbeop and Czochralski liquid encapsulation method of any one of the chlorine concentration in the crystal by growing a crystal by a method 0.1~5.0ppmwt, the resistivity at room temperature of 1.0 10 9 and was to manufacture a single crystal CdTe cm or more .
机译:以50〜200ppmwt的氯掺杂的多晶CdTe为原料,垂直生长的晶体中任意一种氯浓度的垂直无梯度的京泊水平梯度的无菁膜,垂直桥maenbeop卧桥maenbeop和切克劳斯基液体包封方法。用0.1〜5.0ppmwt的方法制得的晶体,室温下的电阻率为1.0 10 9 ,并制得CdTe cm以上的单晶。

著录项

  • 公开/公告号KR100876925B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20047014004

  • 发明设计人 히라노류이치;

    申请日2004-09-07

  • 分类号C30B29/48;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:12:18

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号