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kupferschichten through atomschichtabscheidung (ald)

机译：通过原子层沉积（ALD）形成铜层

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摘要

The present invention relates to novel 1,3-diimine copper complexes and the use of 1,3-diimine copper complexes for the deposition of copper on substrates or in or on porous solids in an Atomic Layer Deposition process.

机译：本发明涉及新颖的1，3-二亚胺铜配合物和1，3-二亚胺铜配合物在原子层沉积方法中在基材上或在多孔固体中或上沉积铜的用途。

著录项

公开/公告号DE602004018627D1

专利类型
公开/公告日2009-02-05

原文格式PDF
申请/专利权人 E.I. DUPONT DE NEMOURS AND CO.;
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申请/专利号DE20046018627T
发明设计人 BRADLEY ALEXANDER ZAK;THOMPSON JEFFERY SCOTT;
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申请日2004-04-16
分类号C23C16/18;C07C249/02;C07C249/16;C07F1/08;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/02;C30B29/02;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 19:08:21

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