要解决的问题:提供一种在半导体区域中具有表面电阻率,减小表面电阻率的局部变化并且具有小的表面粗糙度的半导体氟树脂膜,用于形成该氟树脂膜的氟树脂涂料和涂覆的模制件其中在基材上设置由氟树脂涂料的涂膜制成的氟树脂层。
解决方案:半导体氟树脂膜由包含氟树脂和导电剂的氟树脂组合物形成,其中导电剂是选自离子液体和导电聚合物以及表面平均数的至少一种导电剂。在20℃的温度和100V的施加电压下测得的半导性氟树脂薄膜的电阻率为110 版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010032812A
专利类型
公开/公告日2010-02-12
原文格式PDF
申请/专利号JP20080195496
申请日2008-07-29
分类号G03G15;G03G15/20;B32B27/30;B32B27/18;C09D127/12;C09D7/12;C09D5/02;C08J5/18;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:04:18