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NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, WRITE-IN METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY, AND NONVOLATILE MEMORY WRITE-IN PROGRAM

机译:非易失性存储器,非易失性存储器的写入方法和非易失性存储器写入程序

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To complete write-in processing without changing total processing time even when the write-in error of a non-volatile memory is generated. PSOLUTION: A first non-volatile memory (MLC-NAND memory) 102 and a second non-volatile memory element (SLC-NAND memory) 103 whose characteristics are different are connected to a common data bus and an address bus. A duplexing write-in circuit 106 simultaneously selects the first non-volatile memory 102 and the second non-volatile memory 103 based on a duplexing signal (enable signal) from a CPU 101, and writes the duplexed data in the second non-volatile memory element 103 when writing the data in the first non-volatile memory 102. PCOPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
机译:

要解决的问题:即使发生非易失性存储器的写入错误,也可以在不更改总处理时间的情况下完成写入处理。解决方案:将特性不同的第一非易失性存储器(MLC-NAND存储器)102和第二非易失性存储元件(SLC-NAND存储器)103连接到公共数据总线和地址总线。双工写入电路106基于来自CPU 101的双工信号(使能信号)同时选择第一非易失性存储器102和第二非易失性存储器103,并将双工数据写入第二非易失性存储器中。当在第一非易失性存储器102中写入数据时,元素103。

版权:(C)2010,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2010198252A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORP;

    申请/专利号JP20090041578

  • 发明设计人 SATO AKIRA;

    申请日2009-02-24

  • 分类号G06F12/16;G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:03:42

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