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'LOW POWER HIGH-SPEED CMOS CIRCUITS.'

机译:“低功耗高速CMOS电路。”

摘要

The present invention provides low power high-speed CMOS circuits comprising of two pseudo differential transconductors, source degenerate structure and compensating capacitors to achieve regulated gain control amplifier and to provide the linear region register proportional to the gate bias voltage. The CMOS circuits of the present invention have significance in the field such as analog signal processing and in designing the systems such as but not limited to hearing aids, implantable cardiac pacemakers, cell-phones and hand held multimedia terminals.
机译:本发明提供了一种低功率高速CMOS电路,该电路包括两个伪差分跨导体,源极退化结构和补偿电容器,以实现稳定的增益控制放大器并提供与栅极偏置电压成比例的线性区域寄存器。本发明的CMOS电路在诸如模拟信号处理之类的领域以及在设计系统中具有重要意义,例如但不限于助听器,可植入的心脏起搏器,手机和手持式多媒体终端。

著录项

  • 公开/公告号IN2009DE00672A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN672/DEL/2009

  • 发明设计人 ANIL KUMAR SHUKLA;

    申请日2009-03-31

  • 分类号A61N1/00;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 18:46:20

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