首页> 外国专利> DUAL-PORT SRAM MEMORY USING SINGLE-PORT MEMORY CELL

DUAL-PORT SRAM MEMORY USING SINGLE-PORT MEMORY CELL

机译:使用单端口存储单元的双端口SRAM存储器

摘要

A dual-port memory system is implemented using single-port memory cells. An access arbiter having a synchronization circuit is used to prioritize and synchronize the access requests associated with the two ports. The access arbiter can also prioritize and synchronize refresh requests, in the case where the single-port memory cells require refresh. Access requests on the two ports and the refresh requests can be asynchronous. The access arbiter synchronizes the various requests by latching the requests into first-stage registers when a row access signal (RAS) is activated, and subsequently latching the contents of the first-stage registers into second-stage registers after a selected delay.
机译:双端口存储系统是使用单端口存储单元实现的。具有同步电路的访问仲裁器用于对与这两个端口关联的访问请求进行优先级排序和同步。在单端口存储单元需要刷新的情况下,访问仲裁器还可以对刷新请求进行优先级排序和同步。两个端口上的访问请求和刷新请求可以是异步的。访问仲裁器通过激活行访问信号(RAS)时将请求锁存到第一级寄存器中,然后在选定的延迟后将第一级寄存器的内容锁存到第二级寄存器中来同步各种请求。

著录项

  • 公开/公告号EP2035934A4

    专利类型

  • 公开/公告日2009-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOSYS INC.;

    申请/专利号EP20070811995

  • 发明设计人 LEUNG WINGYU;

    申请日2007-06-01

  • 分类号G06F12/00;G11C7/10;G11C11/406;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:37:55

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号