首页> 外国专利> MAGNETRON CO-SPUTTERING DEVICE

MAGNETRON CO-SPUTTERING DEVICE

机译:磁控共溅射装置

摘要

The present invention provides a magnetron co- sputtering device (6) comprising a main magnetron cathode (x) and a secondary cathode (Y) adapted to be associated with each other to sputter deposit a material on a substrate (2) arranged at a substrate position, the material comprising a first material derived from the main cathode (X) and a second material derived from the secondary cathode (Y), wherein the secondary cathode (Y) is arranged between the main cathode (X) and the substrate position, at a position selected from: (i) a position within a magnetic field derived from a main cathode (X) magnetic source, and (ii) a position within the footprint (6) of the main cathode (X).
机译:本发明提供了一种磁控管共溅射装置(6),其包括主磁控管阴极(x)和次级阴极(Y),所述主磁控管阴极和次级阴极(Y)适于彼此关联以在布置在基板上的基板(2)上溅射沉积材料。位置,该材料包括衍生自主阴极(X)的第一材料和衍生自次阴极(Y)的第二材料,其中次阴极(Y)布置在主阴极(X)和基板位置之间,在选自以下的位置:(i)在源于主阴极(X)磁源的磁场内的位置,以及(ii)在主阴极(X)的覆盖区(6)内的位置。

著录项

  • 公开/公告号EP2168138A2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATERIA NOVA;

    申请/专利号EP20080786085

  • 发明设计人 NOUVELLON CORINNE;DAUCHOT JEAN-PIERRE;

    申请日2008-07-11

  • 分类号H01J37/34;C23C16/34;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:35:31

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号