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METAL LAYER DEPOSITION APPARATUS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, CAPABLE OF SENSING A PROGRESS OF EBR PROCESS

机译:半导体器件的金属层沉积装置,能够感应EBR工艺的进展

摘要

PURPOSE: A metal layer deposition apparatus of a semiconductor is provided to implement the EBR(Edge Bevel Removal) process normally by determining the status of normal position of a wafer edge area or the status of etching of the wafer edge area.;CONSTITUTION: A semiconductor wafer inserted into a chamber(100) is loaded on a fixing pin(120). A pedestal(110) rotates the wafer. An etching nozzle(130) is located on the upper part of the pedestal. The etching nozzle eliminates the metal layer of the edge area by spraying the etching member. A sensor(160) senses the presence of the metal layer.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种半导体的金属层沉积设备,以通过确定晶片边缘区域的正常位置状态或晶片边缘区域的蚀刻状态来正常执行EBR(边缘斜角去除)工艺。插入腔室(100)中的半导体晶片被装载在固定销(120)上。基座(110)旋转晶片。蚀刻喷嘴(130)位于基座的上部。蚀刻喷嘴通过喷射蚀刻构件来消除边缘区域的金属层。传感器(160)感测金属层的存在。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100076712A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DONGBU HITEK CO. LTD.;

    申请/专利号KR20080134844

  • 发明设计人 KIM HONG KYU;

    申请日2008-12-26

  • 分类号H01L21/302;H01L21/283;H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:32:20

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