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MICROCRYSTALLINE SILICON DEPOSITION FOR THIN FILM SOLAR APPLICATIONS

机译:薄膜太阳能应用中的微晶硅沉积

摘要

Embodiments of the invention as recited in the claims relate to thin film multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same. In one embodiment a method of forming a thin film multi-junction solar cell over a substrate is provided. The method comprises positioning a substrate in a reaction zone, providing a gas mixture to the reaction zone, wherein the gas mixture comprises a silicon containing compound and hydrogen gas, forming a first region of an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate at a first deposition rate, forming a second region of the intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate at a second deposition rate higher than the first deposition rate, and forming a third region of the intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate at a third deposition rate lower than the second deposition rate.
机译:如权利要求中所述的本发明的实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和装置。在一个实施例中,提供了一种在基板上形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括将衬底放置在反应区中,向该反应区提供气体混合物,其中该气体混合物包括含硅化合物和氢气,并在第一位置处在衬底上形成本征型微晶硅层的第一区域。沉积速率,以高于第一沉积速率的第二沉积速率在衬底上形成本征型微晶硅层的第二区域,以较低的第三沉积速率在衬底上形成本征型微晶硅层的第三区域比第二沉积速率高。

著录项

  • 公开/公告号KR20100089856A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;

    申请/专利号KR20107011266

  • 发明设计人 CHAE YONG KEE;CHOI SOO YOUNG;SHENG SHURAN;

    申请日2008-10-22

  • 分类号H01L31/042;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:32:05

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