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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE IMPROVED PRECHARGE SCHEME FOR GLOBAL INPUT OUTPUT LINES

机译:具有改进的全球输入输出线预充电方案的半导体存储器

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to stabilize the cell data stored in advance without any damage by minimizing or removing a bit line disturb problem during implementation of data masking operation mode in write operation.;CONSTITUTION: A local input output line precharge unit(19) is connected to a local input output line pair. A global input output line precharge part(21) is connected to the global input output line pair. A column selection part(15) operationally interlinks the bit line pair connected to the bit line sense amp and the local input output line pair interval in response to the column selection signal. A local input output line selecting unit operationally interlinks the local input output line pair and the global input output line pair interval in response to the multiplexing control signal.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种半导体存储器件,通过在写操作中执行数据屏蔽操作模式期间最小化或消除位线干扰问题来稳定预先存储的单元数据,而不造成任何损坏;组成:本地输入输出线预充电单元19)连接到本地输入输出线对。全局输入输出线预充电部分(21)连接到全局输入输出线对。列选择部分(15)响应于列选择信号而操作性地互连连接到位线感测放大器的位线对和本地输入输出线对间隔。本地输入输出线选择单元响应于多路复用控制信号在操作上互连本地输入输出线对和全局输入输出线对间隔。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100091769A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090011120

  • 发明设计人 JUNG DAE HEE;

    申请日2009-02-11

  • 分类号G11C7/10;G11C7/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:32:05

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