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Method for manufacturing porous SiC and porous SiC manufactured thereby

机译:制造多孔SiC的方法和由此制造的多孔SiC

摘要

A method of preparing porous silicon carbide and the porous silicon carbide prepared thereby are provided to obtain excellent process stability and to improve processing efficiency. A method of preparing porous silicon carbide comprises the following steps of: manufacturing slurry by spraying a mixture uniformly through a ball milling after adding silicon carbide powder in a freezing medium; freezing the slurry after pouring the slurry in a mold; forming a porous molding product by removing a freeze medium; and sintering the molding product.
机译:提供一种制备多孔碳化硅的方法和由此制备的多孔碳化硅,以获得优异的工艺稳定性并提高加工效率。一种制备多孔碳化硅的方法包括以下步骤:在将碳化硅粉末添加到冷冻介质中之后,通过球磨将混合物均匀地喷雾而制造浆料;将浆料倒入模具中后,将浆料冷冻;通过除去冷冻介质形成多孔成型产品;并烧结成型产品。

著录项

  • 公开/公告号KR100952341B1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20070107786

  • 发明设计人 김현이;고영학;윤병호;

    申请日2007-10-25

  • 分类号C01B31/36;B01J35/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:31:17

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