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Pattern defect inspection method, pattern defect inspection test pattern substrate, pattern defect inspection apparatus, photomask manufacturing method, and display device substrate manufacturing method

机译:图案缺陷检查方法,图案缺陷检查测试图案基板,图案缺陷检查装置,光掩模制造方法和显示装置基板制造方法

摘要

A method for inspecting a pattern defect is provided to enable inspection within a short interval of time and improve productivity of a photomask by performing a macro inspection on a defect of a repetition pattern while using diffraction light. Unit patterns for a test are arranged in a test pattern(66) by a different period from that of a repetition pattern(56). The repetition pattern is polymerized to form a polymer pattern(70). Light is irradiated to the polymer pattern at a predetermined incidence angle. Diffraction light is monitored from the polymer pattern to inspect if defects exist in the repetition pattern. In forming the polymer pattern, the test pattern formed on one main surface of a transparent support body and the repetition pattern formed on one main surface of another transparent support body can be maintained to make the formation surfaces of the test pattern and the repetition pattern confront each other.
机译:提供一种用于检查图案缺陷的方法,以通过在使用衍射光的同时对重复图案的缺陷进行宏观检查来在短时间内进行检查并提高光掩模的生产率。用于测试的单元图案以与重复图案(56)不同的周期布置在测试图案(66)中。重复图案被聚合以形成聚合物图案(70)。以预定的入射角将光照射到聚合物图案上。从聚合物图案监视衍射光,以检查重复图案中是否存在缺陷。在形成聚合物图案时,可以保持形成在透明支撑体的一个主表面上的测试图案和形成在另一透明支撑体的一个主表面上的重复图案,以使测试图案和重复图案的形成表面相对。彼此。

著录项

  • 公开/公告号JP4771871B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HOYA株式会社;

    申请/专利号JP20060166409

  • 发明设计人 山口 昇;

    申请日2006-06-15

  • 分类号G01N21/956;G03F1/08;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:21:21

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