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AlN sintered body and the AlN circuit board using the same

机译:AlN烧结体和使用该AlN烧结体的AlN电路板

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an AlN sintered compound with high heat radiation property and high strength, and an AlN circuit substrate excellent in high bonding strength between the AlN substrate and the metal circuit part, and a thermal cycle resistance property by improving a polishing property of the AlN substrate.;SOLUTION: The sintered compact is characterized in that the number of AlN crystal contained in 50 μm straight line distance is 15-30, and the heat conductivity is 200 W/(m.k) or more.;COPYRIGHT: (C)2002,JPO
机译:解决的问题:通过改进抛光,提供具有高散热性和高强度的AlN烧结化合物,以及在AlN基板和金属电路部之间的高结合强度以及耐热循环性方面优异的AlN电路基板。解决方案:该烧结体的特征在于,在50μm的直线距离内包含的AlN晶体的数目为15-30,并且热导率为200W /(mk)以上。版权:(C)2002,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP4772187B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号JP20000399257

  • 发明设计人 那波 隆之;

    申请日2000-12-27

  • 分类号C04B35/581;H05K1/03;H01L23/15;H01L23/36;H01L23/373;H05K3/16;H05K3/20;H05K3/38;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:21:18

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