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Carbon nanotube field effect transistor for printed flexible/rigid electronics

机译:碳纳米管场效应晶体管,用于印刷柔性/刚性电子设备

摘要

Methods and devices for manufacturing carbon nanotube based field effect transistors are disclosed including providing a substrate; printing a gate electrode layer onto the substrate and sintering and/or UV curing; printing a gate isolation layer onto the gate electrode and air drying and/or UV curing; printing one or more carbon nanotube channel layers onto the gate isolation layer, wherein each carbon nanotube channel layer is air dried prior to subsequent printings; and printing a source and drain electrode layer onto the one or more carbon nanotube channel layers and sintering and/or UV curing. Other embodiments are described and claimed.
机译:公开了用于制造基于碳纳米管的场效应晶体管的方法和装置,包括提供衬底;以及提供衬底。将栅电极层印刷到基板上并烧结和/或UV固化;在栅电极上印刷栅隔离层,并进行空气干燥和/或UV固化;在栅极隔离层上印刷一个或多个碳纳米管沟道层,其中每个碳纳米管沟道层在随后的印刷之前进行空气干燥;将源极和漏极层印刷到一个或多个碳纳米管通道层上,并进行烧结和/或UV固化。描述和要求保护其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号US2011248243A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YIHONG CHEN;RAY T. CHEN;

    申请/专利号US20090592573

  • 发明设计人 RAY T. CHEN;YIHONG CHEN;

    申请日2009-11-30

  • 分类号H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:16:39

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