首页> 外国专利> Structure of high performance combo chip and processing method

Structure of high performance combo chip and processing method

机译:高性能组合芯片的结构及处理方法

摘要

A method for fabricating a chip package is achieved. A seed layer is formed over a silicon wafer. A photoresist layer is formed on the seed layer, an opening in the photoresist layer exposing the seed layer. A first solder bump is formed on the seed layer exposed by the opening. The photoresist layer is removed. The seed layer not under the first solder bump is removed. A second solder bump on a chip is joined to the first solder bump.
机译:实现了一种用于制造芯片封装的方法。在硅晶片上形成种子层。在种子层上形成光致抗蚀剂层,光致抗蚀剂层中的开口暴露出种子层。在通过开口暴露的种子层上形成第一焊料凸块。去除光致抗蚀剂层。去除不在第一焊料凸块下方的种子层。芯片上的第二焊料凸块接合到第一焊料凸块。

著录项

  • 公开/公告号US7960212B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JIN-YUAN LEE;MOU-SHIUNG LIN;

    申请/专利号US20070842957

  • 发明设计人 MOU-SHIUNG LIN;JIN-YUAN LEE;

    申请日2007-08-22

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:10:21

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号