首页> 外国专利> Carbon-nano tube structure, method of manufacturing the same, and field emitter and display device each adopting the same

Carbon-nano tube structure, method of manufacturing the same, and field emitter and display device each adopting the same

机译:碳纳米管结构,其制造方法以及采用该结构的场致发射器和显示装置

摘要

A carbon-nano tube (CNT) structure comprises a substrate and a plurality of CNTs, each CNT comprising a plurality of first CNTs grown perpendicular to the substrate and a plurality of second CNTs grown on sidewalls of the first CNTs. A method of manufacturing CNTs includes growing first CNTs on a substrate on which a catalyst material layer is formed, and growing second CNTs on surfaces of the first CNTs from a catalyst material on surfaces of the first CNTs. The second CNTs grown on the sidewalls of the first CNTs emit electrons at a low voltage. In addition, the CNT structure exhibits high electron emission current due to the second CNTs being used as electron emission sources, and exhibits uniform field emission due to the uniform diameter of the first CNTs. A display device incorporates the above-described structure.
机译:碳纳米管(CNT)结构包括基板和多个CNT,每个CNT包括垂直于基板生长的多个第一CNT和在第一CNT的侧壁上生长的多个第二CNT。制造CNT的方法包括:在其上形成有催化剂材料层的基板上生长第一CNT;以及从第一CNT的表面上的催化剂材料在第一CNT的表面上生长第二CNT。在第一CNT的侧壁上生长的第二CNT在低电压下发射电子。另外,由于第二CNT被用作电子发射源,因此CNT结构表现出高的电子发射电流,并且由于第一CNT的均匀直径,CNT结构表现出均匀的场发射。显示装置结合了上述结构。

著录项

  • 公开/公告号US7879398B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HA-JIN KIM;IN-TAEK HAN;

    申请/专利号US20040929381

  • 发明设计人 IN-TAEK HAN;HA-JIN KIM;

    申请日2004-08-31

  • 分类号C23C16/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:08:12

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号