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THIN ACTIVE LAYER FISHBONE PHOTODIODE WITH A SHALLOW N+ LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME.

机译:具有浅N +层的薄型有源层鱼骨形光电二极管及其制造方法。

摘要

The present invention is directed toward a detector structure, detector arrays, and a method of detecting incident radiation. The present invention comprises a photodiode array and method of manufacturing a photodiode array that provides for reduced radiation damage susceptibility, decreased affects of crosstalk, reduced dark current (current leakage) and increased flexibility in application.
机译:本发明针对一种探测器结构,探测器阵列以及一种探测入射辐射的方法。本发明包括光电二极管阵列和制造光电二极管阵列的方法,其提供降低的辐射损伤敏感性,降低的串扰影响,降低的暗电流(漏电流)和增加的应用灵活性。

著录项

  • 公开/公告号MX2011002852A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UDT SENSORS INC.;

    申请/专利号MX20110002852

  • 发明设计人 PETER STEVEN BUI;NARAYAN DASS TANEJA;

    申请日2009-09-15

  • 分类号H01L31/0352;

  • 国家 MX

  • 入库时间 2022-08-21 18:05:20

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