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具有浅N+层的薄有源层鱼骨形光敏二极管及其制造方法

摘要

本发明针对于检测器的结构、检测器阵列和检测入射辐射的方法。本发明包括光敏二极管阵列和光敏二极管阵列的制造方法,该光敏二极管提供减少的辐射损耗率、降低的串扰影响、减小的暗电流(电流泄漏)以及提高的应用上的适应性。

著录项

  • 公开/公告号CN102217082B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSI光电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200980145385.8

  • 发明设计人 彼得.S.布伊;纳拉延.D.塔尼杰;

    申请日2009-09-15

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人彭久云

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-04

    授权

    授权

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20090915

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

    公开

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