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METHOD OF MANUFACTURING DISLOCATION-FREE SINGLE-CRYSTAL SILICON BY CZOCHRALSKI METHOD

机译：直拉法制造无位错单晶硅的方法

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AbstractMethod of Manufacturing Dislocation-Free Single-Crystal Silicon by Czochralski MethodTo provide a method of manufacturing dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.The method according to the present invention is characterized in that silicon, which does not contain particles with an average particle diameter smaller than 250 pm, is used as raw material for melting.Fig. 1

机译：抽象直拉法制造无位错单晶硅的方法提供一种通过切克劳斯基方法制造无位错单晶硅的方法。根据本发明的方法的特征在于，将不包含平均粒径小于250μm的颗粒的硅用作熔融原料。图。1

著录项

公开/公告号SG173303A1

专利类型
公开/公告日2011-08-29

原文格式PDF
申请/专利权人 SILTRONIC AG;
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申请/专利号SG20110007556
发明设计人 MASAYUKI FUKUDA;YOSHITOMO FUKUDA;JUN FUKUDA;
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申请日2011-02-01
分类号
国家 SG
入库时间 2022-08-21 18:04:03

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