MICRODEFECTS FORMATION IN DISLOCATION-FREE FLOAT-ZONE AND CZOCHRALSKI SILICON SINGLE CRYSTALS

摘要

На основании комплексных исследований монокристаллов бестигельного кремния был подтвержден механизм образованна микро-дефектов. Установлено, что образование микродефетя происходит по двум механизмам: вакансионному и межузельному, Сравнительный анализ данных по кремнию, выращенному мето-дом Чохральского, и бестигельному кремнию позволяет предполо-жить идентичность процесса дефектообразования в обо讧? типах кристаллов.%Basing upon complex researches of monocrystals FZ-Si, a mechanism of microdefect formation is confirmed. It is established that the formation of microdefects happens by two mechanisms: vacancy and interstitial ones. The comparison of the data on CZ-Si and FZ-Si shows that this mechanism can be applied to CZ-Si with allowance for a modification of growth conditions and is significant for a larger conjent of impurities.