3英寸N<111>区熔中照硅单晶微缺陷的研究

摘要

目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始区熔硅单晶在中照及８５０°Ｃ退火处理后其体内会现旋涡缺陷。该实验的研究表明，采用１１００°Ｃ温度对中照后的碳含量符合国标要求的３英寸Ｎ〈１１１〉区熔硅单晶进行退火处理，晶体体内不会出现旋涡缺陷；同时，在晶体碳含量较低（小于３＊１０〈’１６〉ａｔ／ｃｍ〈’３〉）的情况下采用８５０°Ｃ的热处理方法不会对器件生产造成不良影响。