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RESIN COMPOSITION FOR USE IN AN ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR INSULATION LAYER, OVERCOAT INSULATION LAYER, AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR

机译:用于有机薄膜晶体管绝缘层,外涂层绝缘层和有机薄膜晶体管的树脂组合物

摘要

The disclosed resin composition for use in an organic thin-film transistor insulation layer makes it possible to manufacture an organic thin-film transistor that exhibits little hysteresis and has a threshold voltage with a low absolute value. Said resin composition contains: (A) a macromolecular compound that has a repeating unit having a group that contains a fluorine atom; and (B) an active hydrogen compound which is a fluorine resin.
机译:所公开的用于有机薄膜晶体管绝缘层中的树脂组合物使得可以制造具有低滞后性并且具有低绝对值的阈值电压的有机薄膜晶体管。所述树脂组合物包含:(A)具有重复单元的高分子化合物,所述重复单元具有包含氟原子的基团。 (B)为氟树脂的活性氢化合物。

著录项

  • 公开/公告号WO2011125691A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED;YAHAGI ISAO;

    申请/专利号WO2011JP57938

  • 发明设计人 YAHAGI ISAO;

    申请日2011-03-30

  • 分类号H01L29/786;C08F212/14;C08F220/34;G09F9/30;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 17:55:16

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