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EXTREME ULTRAVIOLET RAY MASK, CAPABLE OF SUPPRESSING A PATTERN SHIFT PHENOMENON IN AN EXTREME ULTRAVIOLET RAY LITHOGRAPHY PROCESS

机译:极紫外光掩膜,能够抑制极紫外光光刻工艺中的图案偏移现象

摘要

PURPOSE: An extreme ultraviolet ray mask is provided to transfer fine patterns without the deformation of the patterns by preventing the generation of a pattern shift phenomenon due to a stepped part.;CONSTITUTION: A reflecting plate(20) is arranged on both the right side and the left side of a supporting board. The reflecting plate is composed of a first reflecting plate(21) and a second reflecting plate(23). A tilt driving part is in connection with the rear side of the reflecting plate. A tilt controlling part controls the operation of the tilt driving part. The tilt driving part tilts the slope of the first reflecting plate in order to form a mask layout(60).;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供了一种极紫外线屏蔽罩,通过防止由于台阶部分而引起的图案偏移现象的产生,从而在不使图案变形的情况下转印精细的图案。;组成:右侧的反射板(20)布置在两侧和支撑板的左侧。反射板由第一反射板(21)和第二反射板(23)构成。倾斜驱动部与反射板的后侧连接。倾斜控制部分控制倾斜驱动部分的操作。倾斜驱动部分使第一反射板的倾斜倾斜以形成掩模布局(60)。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20100127665A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090046195

  • 发明设计人 WOO SUNG HA;

    申请日2009-05-26

  • 分类号H01L21/027;H01L21/32;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:53:11

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