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一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法

摘要

本发明公开一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法,包括掩膜版承载台,所述掩膜版承载台设置于光刻机内,所述掩膜版承载台上置有掩膜版;气帘产生装置沿左右方向设置,并且气帘产生装置位于掩膜版承载台的上方;气帘产生装置用于产生气帘;气束产生装置设置于左右方向的一侧,并且气束产生装置位于掩膜版承载台的上方;气束产生装置用于产生气束;颗粒检测装置设置于掩膜版承载台的上方,用于对掩膜版的上表面进行颗粒检测。本发明通过使用倾斜气束将已经落入到掩膜版上的颗粒去除,节约了时间,又提高了颗粒去除的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN107797392B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201711115938.8

  • 发明设计人 郭晓波;

    申请日2017-11-13

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:07:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    授权

    授权

  • 2018-04-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20171113

    实质审查的生效

  • 2018-03-13

    公开

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