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PHOTORESIST PATTERNS FORMATION METHOD, CAPABLE OF PREVENTING COLLAPSE OF PHOTORESIST PATTERS

机译:光致抗蚀剂图案形成方法,能够防止光致抗蚀剂图案的塌落

摘要

PURPOSE: A photoresist patterns formation method is provided to reduce the surface tension by the cleaning solution by surface processing the surface of the photoresist pattern using organic solution before implementing the cleaning process.;CONSTITUTION: A photoresist film is formed on the top of the semiconductor substrate. A photoresist film is patterned by patterning the photoresist layer with the exposure and development processes(S11-S13). The surface of the photoresist pattern uses the organic solvent for surface-process(S15).;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种光致抗蚀剂图案形成方法,以通过在实施清洁工艺之前使用有机溶液对光致抗蚀剂图案的表面进行表面处理来降低清洁液的表面张力。;构成:在半导体顶部形成光致抗蚀剂膜基质。通过用曝光和显影工艺图案化光致抗蚀剂层来图案化光致抗蚀剂膜(S11-S13)。光刻胶图案的表面使用有机溶剂进行表面处理(S15)。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20100138541A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090057124

  • 发明设计人 CHOI CHUL CHAN;

    申请日2009-06-25

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:53:02

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