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Phases change in structure, a method for forming a phase change in layer, phase, change, - storage device, and a method for producing a phase, change, - memory device

机译:相变的结构,形成层,相变的相变的方法,存储装置以及产生相变的存储装置的方法

摘要

A phase change in structure comprises a first phase change material layer pattern and a second phase change material layer pattern. The first phase change material layer pattern fills a structure with a high aspect ratio partially, and the second phase change material layer pattern fills the structure with the high aspect ratio. The first phase change material layer pattern contains a first phase change material, and the second phase change material layer pattern comprises a second phase change material with a composition, the substantially different from the composition of the first phase change material is.
机译:结构上的相变包括第一相变材料层图案和第二相变材料层图案。第一相变材料层图案部分填充高纵横比的结构,第二相变材料层图案填充高纵横比的结构。第一相变材料层图案包含第一相变材料,并且第二相变材料层图案包含具有与第一相变材料的组成基本上不同的组成的第二相变材料。

著录项

  • 公开/公告号DE102010061572A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20101061572

  • 发明设计人

    申请日2010-12-27

  • 分类号H01L45;H01L27/24;H01L21/82;G11C13;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 17:47:09

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