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公开/公告号CN101106177B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200710136265.4
发明设计人 李琎一;赵性来;朴瑛琳;朴惠英;
申请日2007-07-12
分类号
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人郭鸿禧
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
入库时间 2022-08-23 09:07:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-16
授权
2009-09-09
实质审查的生效
2008-01-16
公开
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机译: 相变材料层,相变材料层的形成方法以及使用相变材料层制造相变存储器的方法
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