首页> 外国专利> method and device for infiltration of a structure of a porous material by chemical vapour deposition

method and device for infiltration of a structure of a porous material by chemical vapour deposition

机译:化学气相沉积渗透多孔材料结构的方法和装置

摘要

The present invention relates to a method and device for the infiltration of a structure in the porous material by chemical vapor deposition. In the process, a first face of the structure of a porous material being exposed to a gas flow, it maintains the second face, at least in part, free from any contact.
机译:本发明涉及通过化学气相沉积使结构渗透到多孔材料中的方法和装置。在该方法中,多孔材料结构的第一面暴露于气流,它使第二面至少部分地保持没有任何接触。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号