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The gate dielectric film, the organicity transistor, production manner of the organic EL display device and production

机译:栅极介电膜,有机晶体管,有机EL显示装置的制造方式及制造

摘要

A method of manufacturing an organic transistor having a gate insulating film of high-quality, method of manufacturing an organic EL display device, and provides that to provide a display. A gate electrode 52, the 54 gate insulating film, an organic TFT50 is formed a gate insulating film 54, the organic semiconductor layer 56, the source electrode 58, the drain electrode 60 Metropolitan, mixed with the hydroxyl group and cyanoethyl group represented by Formula and characterized by comprising thermally cured mixture containing a melamine derivative and a mixture of polymers.
机译:提供一种具有高质量的栅极绝缘膜的有机晶体管的制造方法,一种有机EL显示装置的制造方法,并提供一种显示器。栅电极52,栅绝缘膜54,形成栅绝缘膜54的有机TFT50,有机半导体层56,源电极58,漏电极60均由式(I)表示的羟基和氰基乙基混合而成。其特征在于包括含有三聚氰胺衍生物和聚合物混合物的热固化混合物。

著录项

  • 公开/公告号JP4914828B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 パイオニア株式会社;

    申请/专利号JP20070510470

  • 发明设计人 大田 悟;

    申请日2006-03-27

  • 分类号H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L21/312;H01L51/50;C08F8/30;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:38:35

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