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Temperature sensor for the ring oscillator, temperature sensor circuit and semiconductor device including the same

机译:用于环形振荡器的温度传感器,温度传感器电路以及包括该温度传感器的半导体器件

摘要

As for the ring oscillograph (1), each includes the invertor, the odd number which is connected in series consists of the unit circuit (2). The unit circuit (2), for example, it consists of with invertor and MOSFETQ13. As for MOSFETQ13, being the temperature sensor, it is FET which uses the leak electric current between the drain - source in a state where it is turned off stationarily.
机译:环形示波器(1)分别包括逆变器,串联的奇数由单元电路(2)构成。单元电路(2)例如由逆变器和MOSFETQ13组成。 MOSFETQ13是温度传感器,是在固定关闭状态下利用漏极-源极之间的泄漏电流的FET。

著录项

  • 公开/公告号JP4843034B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号JP20080520105

  • 发明设计人 中谷 啓吾;

    申请日2006-06-09

  • 分类号G01K7/01;H01L27/04;H01L21/822;H03K3/354;H03K17/945;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:35:58

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