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STRUCTURE AND METALLIZATION PROCESS FOR ADVANCED TECHNOLOGY NODES

机译:先进技术节点的结构和金属化过程

摘要

The problem of poor adherence of a dielectric coating on a patterned metal structure can be solved by forming an adhesion layer on exposed surfaces of such metal structure prior to deposition of such dielectric. According to an embodiment, the invention provides a method to form a self-aligned adhesion layer on the surface of metal interconnect structure within an integrated circuit by exposing the metal structure to a controlled atmosphere and a flow of nitrogen-containing gas.
机译:可以通过在沉积这样的电介质之前在这样的金属结构的暴露表面上形成粘附层来解决电介质涂层在图案化的金属结构上的粘附性差的问题。根据一个实施例,本发明提供一种通过将金属结构暴露于受控气氛和含氮气体流中而在集成电路内的金属互连结构的表面上形成自对准粘附层的方法。

著录项

  • 公开/公告号US2012098133A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHIH-CHAO YANG;HSUEH-CHUNG CHEN;

    申请/专利号US20100910075

  • 发明设计人 HSUEH-CHUNG CHEN;CHIH-CHAO YANG;

    申请日2010-10-22

  • 分类号H01L23/482;H01L21/31;H01L21/306;H01L21/768;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:33:03

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