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Memory module having a plurality of phase change memories, buffer RAM and NAND flash memory

机译:具有多个相变存储器,缓冲RAM和NAND闪存的存储器模块

摘要

A memory module comprises a plurality of main memories; a buffer RAM configured to temporarily store data being provided to or read from the main memories and to perform a buffer function between an external device and the main memories; and a NAND flash memory configured to store data of the buffer RAM during an interruption of power being supplied to the buffer RAM.
机译:存储器模块包括多个主存储器。缓冲RAM,其被配置为临时存储提供给主存储器或从主存储器读取的数据,并在外部设备和主存储器之间执行缓冲功能; NAND闪存,其被配置为在被供应给所述缓冲RAM的电力中断期间存储所述缓冲RAM的数据。

著录项

  • 公开/公告号US8270226B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JANGSEOK CHOI;DONGYANG LEE;

    申请/专利号US20100656224

  • 发明设计人 JANGSEOK CHOI;DONGYANG LEE;

    申请日2010-01-21

  • 分类号G11C7/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:30:57

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