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METHOD FOR FORMING ZnO NANOWIRES PATTERNED SELECTIVELY ON SUBSTRATE VIA WET ETCHING

机译:通过湿刻蚀选择性地在基质上形成ZnO纳米线的方法

摘要

PURPOSE: A method for forming ZnO nanowires is provided to grow zinc oxide nano wires on a patterned zinc oxide seed layer on a substrate through wet etching and to enhance the relation with a semiconductor process. CONSTITUTION: A method for forming ZnO nanowires comprises the steps of: laminating a zinc oxide seed layer on a substrate; patterning the zinc oxide seed layer through a photolithography process; dipping a substrate in which a patterned zinc oxide seed layer is formed, in a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide to wet etch the zinc oxide seed layer of non-patterned part; and growing zinc oxide nano wires on the patterned zinc oxide seed layer.
机译:目的:提供一种形成ZnO纳米线的方法,以通过湿法蚀刻在衬底上的图案化氧化锌籽晶层上生长氧化锌纳米线,并增强与半导体工艺的关系。组成:形成ZnO纳米线的方法包括以下步骤:在衬底上层压氧化锌籽晶层;通过光刻工艺对氧化锌籽晶层进行构图;将形成有图案化的氧化锌籽晶层的基板浸入氨和过氧化氢的混合溶液中,以湿法蚀刻未图案化的部分的氧化锌籽晶层。在图案化的氧化锌籽晶层上生长氧化锌纳米线。

著录项

  • 公开/公告号KR101090398B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090068780

  • 发明设计人 최영진;심이레;배준호;

    申请日2009-07-28

  • 分类号B82B3;C01G9;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:11:04

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