首页> 外国专利> Production method of the semiconductor memory element which possesses the storage node and that storage node and the semiconductor memory element which improves the quality of the storage node

Production method of the semiconductor memory element which possesses the storage node and that storage node and the semiconductor memory element which improves the quality of the storage node

机译:具有该存储节点和该存储节点的半导体存储元件的制造方法以及提高该存储节点的质量的半导体存储元件

摘要

A storage node, a method of fabricating the same, a semiconductor memory device and a method of fabricating the same is provided. The method of fabricating a storage node may include forming a lower electrode, forming an irradiated data storage layer and forming an upper electrode.
机译:提供了一种存储节点,其制造方法,半导体存储器件及其制造方法。制造存储节点的方法可以包括形成下电极,形成照射的数据存储层以及形成上电极。

著录项

  • 公开/公告号JP5279178B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星電子株式会社;

    申请/专利号JP20060228266

  • 发明设计人 李 正賢;房 想奉;

    申请日2006-08-24

  • 分类号H01L27/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:55:27

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号