要解决的问题:提供一种能够提高转换效率的多晶硅薄膜的制造方法,一种多晶硅薄膜基板和一种多晶硅薄膜型太阳能电池。
解决方案:多晶硅薄膜的制造方法包括在玻璃基板1上形成非晶硅层2的过程,形成由与该非晶态上的硅发生共价反应的金属构成的铝层3的过程。硅层2和加热层压衬底的工艺。通过加热,非晶硅层2的非晶硅溶解在铝层3中并结晶以形成多晶硅层4。多晶硅薄膜基板40具有在玻璃基板1上形成的铝层3,并且在玻璃基板1上形成有铝层3。得到形成在铝层3上的多晶硅层4。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP5282198B2
专利类型
公开/公告日2013-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 古河電気工業株式会社;独立行政法人産業技術総合研究所;
申请/专利号JP20070184907
申请日2007-07-13
分类号H01L21/20;H01L31/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:54:52