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Method of minimizing beam bending of MEMS device by reducing the interfacial bonding strength between sacrificial layer and MEMS structure

机译：通过降低牺牲层和MEMS结构之间的界面结合强度来最小化MEMS器件的束弯曲的方法

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The beam bending of a MEMS device is minimized by reducing interfacial strength between a sacrificial layer and a MEMS structure.

机译：通过减小牺牲层和MEMS结构之间的界面强度，使MEMS器件的束弯曲最小化。

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公开/公告号US8541854B2

专利类型
公开/公告日2013-09-24

原文格式PDF
申请/专利权人 JOHN M. COTTE;NILS D. HOIVIK;CHRISTOPHER JAHNES;MINHUA LU;HONGQING ZHANG;
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申请/专利号US201213349596
发明设计人 JOHN M. COTTE;HONGQING ZHANG;CHRISTOPHER JAHNES;NILS D. HOIVIK;MINHUA LU;
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申请日2012-01-13
分类号H01L21/00;
国家 US
入库时间 2022-08-21 16:46:04

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