首页> 外国专利> High reliability and low power redundancy for memory

High reliability and low power redundancy for memory

机译:存储器的高可靠性和低功耗冗余

摘要

An integrated circuit containing a memory array, a redundancy circuit and a redundancy error correction circuit coupled to said redundancy circuit. A method for constructing a redundancy word which corresponds to each memory segment and a method for error checking the redundancy word during a memory access request.
机译:一种集成电路,包括存储器阵列,冗余电路和耦合至所述冗余电路的冗余纠错电路。一种用于构造与每个存储器段相对应的冗余字的方法,以及一种用于在存储器访问请求期间对冗余字进行错误检查的方法。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号